Name: DS1245Y-70IND+
SKU: DS1245Y-70IND+
Price: 33.673 USD
Availability: InStock
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DS1245Y-70IND+

Artikelnummer:

DS1245Y-70IND+

Hersteller / Marke:

N/A

Teil der Beschreibung.:

IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

Datenblätte:

1.DS1245Y-70IND+.pdf ···: 2D -Zeichnungen
NV SRAM Device Programmers.pdf Lithium Battery Content in Maxim Products.pdf Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM.pdf Substitution Rules for Nonvolatile Memory Componen.pdf Maxim Integrated REACH.pdf Maxim Integrated RoHS Cert.pdf

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Spezifikationen
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Verpackung

~~DS1245Y-70IND+ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments DS1245Y-70IND+.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	70ns
Spannungsversorgung	4.5V ~ 5.5V
Technologie	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Supplier Device-Gehäuse	32-EDIP
Serie	-
Verpackung / Gehäuse	32-DIP Module (0.600', 15.24mm)
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Through Hole

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Speichertyp	Non-Volatile
Speichergröße	1Mbit
Speicherorganisation	128K x 8
Speicherschnittstelle	Parallel
Speicherformat	NVSRAM
Grundproduktnummer	DS1245Y
Zugriffszeit	70 ns
DS1245Y-70IND+ Einzelheiten PDF [English]	DS1245Y-70IND+ PDF - EN.pdf

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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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